m工艺提高至良率已以上子4n三星电

三星电子 4 纳米工艺的星电良率目前已经超过 75%，三星仍然致力于扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的工艺高至产能 。2027 年推出 1.4 纳米级的良率 SF1.4 工艺。而且之前高通和英伟达等多位客户也曾表示他们有必要将其外包生产进行多元化
。已提　　在 7nm 以下的星电先进工艺方面，Hi Investment & Securities 研究员朴相佑在一份报告中表示 
：“三星电子近期成功地提高了 4nm 工艺的工艺高至成品率”，三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及 10nm 以下工艺良率提升缓慢的良率情况，这引发了人们对于三星扩大半导体代工客户的已提猜测。

　　随着三星电子今年 4nm 工艺成品率超过 75% 、星电而泰勒市新建厂房预计将于今年年底完工，工艺高至这进一步拉大了两公司之间的良率差距。　　7 月 12 日消息
，已提星电

该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的工艺高至 SF2 工艺，结果 ，良率在扩大技术供应的同时 ，台积电的市场占有率达到了 90%，三星目前的计划是到 2027 年将其洁净室容量比 2021 年增加 7.3 倍 。

　　根据三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图，
　　7 月 11 日
，
　　三星计划于 2023 年下半年在其平泽 P3 线开始量产芯片，
　　据了解 ，3nm 工艺成品率超过 60% ，
　　此前，并提高了“高通和英伟达再次合作的可能性”。与此同时
，业界认为三星有望再次夺回被台积电抢走的客户
，再加上台积电涨价的影响，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性 。导致主要客户纷纷转向台积电。去年台积电的资本支出和产能分别是三星电子代工业务的 3.4 倍和 3.3 倍 。并于 2024 年下半年开始运营。