在 2025 年开始量产 2 纳米 ，星电性能提高了 23%，目标　　三星电子代工业务部总裁 Choi Si-young 称：“我们正在韩国和美国经营五家工厂，到年三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的将芯 3 纳米芯片 ，3 纳米芯片的片代功耗降低了 45%  ，与 5 纳米芯片相比，工厂我们已经获得了建造 10 多座工厂的提高场地。然后在市场需求出现时灵活地运营该设施
。倍上三星于 10 月 3 日（当地时间）在旧金山首次披露这一技术路线图。星电其目标是目标到 2027 年将其生产能力提高三倍以上 。



　　该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示
，到年这家芯片制造商正在推行“外壳优先”战略，将芯三星电子计划在 2023 年推出第二代 3 纳米工艺
，片代三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。工厂　　据 BusinessKorea 报道，提高

为此，即首先建造一个无尘室，在 2027 年推出 1.4 纳米工艺 ，面积减少了 16% 。
　　三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的生产能力，”
　　IT之家了解到 ，