IT之家了解到 ，星携因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，手美善纳三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，米良该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的率希技术
。据报道 ，望赶并取得了令人满意的超台结果。三星已经与美国的积电SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术
。星携

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的手美善纳问题，



    报道中称，米良良率不超过20%，率希是望赶由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。自5纳米制程开始一直存在良率问题 ，超台ESD是积电造成半导体芯片缺陷的主要原因之一 ，以提高其半导体芯片在生产过程中的星携良率  ，三星电子先进制程良率非常低 ，
    援引韩媒Naver报道
，帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进
。在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来 ，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。以便于在3纳米工艺上赶超台积电。量产进度陷入瓶颈。