以提高其半导体芯片在生产过程中的星携良率，并取得了令人满意的手美善纳结果。据报道，米良是率希由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。ESD是望赶造成半导体芯片缺陷的主要原因之一
，

    报道中称，超台

    IT之家了解到，积电三星已经与美国的星携SiliconFrontlineTechnology公司合作
，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。手美善纳米良

在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕 。率希三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，望赶
    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的超台问题 ，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，积电以便于在3纳米工艺上赶超台积电。星携    援引韩媒Naver报道，自5纳米制程开始一直存在良率问题 ，量产进度陷入瓶颈。帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。良率不超过20% ，该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 
。因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，三星电子先进制程良率非常低，